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场发射透射电子显微镜(Talos F200S)

仪器型号: Talos F200S

生产厂商: 赛默飞

国  别: 美国

资产编号: 1719771W

存放地点: 科技楼104

仪器负责人: 黄吉雷、邬晓仙

仪器预约


仪器参数

加速电压200 kV;

TEM点分辨率0.25 nm;

TEM信息分辨率0.12 nm;

扫描透射附件(STEM)分辨率0.16 nm;

元素分析范围:B5~U92。

主要应用

可对金属、矿物、半导体、陶瓷、高分子、复合材料、催化剂、动植物、生物等材料进行超微形貌、晶体结构、晶体缺陷、晶粒晶向及成份分析。利用微区电子衍射、会聚束电子衍射及元素分析可对小至0.5 nm尺度的物质进行结构和成分分析,因而特别适用于普通透射电镜难以分析的微细析出相,界面和畴等极小区域内成分、结构、形貌的研究;也可以对样品元素做面分布分析,以及样品所含元素进行定性和半定量微区分析。

样品要求

超薄或细小,干燥,无磁性。样品附着在电镜载网。

仪器说明

1、FEI Talos F200S 材料型场发射透射电镜的电子枪为肖特基热场发射超亮电子枪,STEM 分辨率可以达到0.16nm;

2、配备2个探头的能谱,可以高效率探测到微量元素;

3、Talos F200S 还安装了STEM明场和暗场探头,可以同时得到STEM的明场像和暗场像以及髙角环形暗场像(HAADF)。

收费标准

校内送样:400元/小时,能谱50元/点(线、面)。每个样品拍摄超过10张照片的部分收2元一张照片。

校外送样:800元/小时,能谱100元/点(线、面)。每个样品拍摄超过10张照片的部分收2元一张照片。



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